Suscettore EPI con rivestimento CVD in carburo di tantalio

Breve descrizione:

La grafite è un materiale eccellente per le alte temperature, ma si ossida facilmente alle alte temperature. Anche nei forni sotto vuoto con gas inerte può ancora subire una lenta ossidazione. L'utilizzo di un rivestimento in carburo di tantalio (TaC) CVD può proteggere efficacemente il substrato di grafite, fornendo la stessa resistenza alle alte temperature della grafite. Il TaC è anche un materiale inerte, il che significa che non reagisce con gas come l'argon o l'idrogeno ad alte temperature.InchiestaSuscettore EPI con rivestimento CVD in carburo di tantalio Ora!

 


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Semicera fornisce rivestimenti specializzati in carburo di tantalio (TaC) per vari componenti e supporti.Il processo di rivestimento leader di Semicera consente ai rivestimenti in carburo di tantalio (TaC) di raggiungere elevata purezza, stabilità alle alte temperature ed elevata tolleranza chimica, migliorando la qualità del prodotto dei cristalli SIC/GAN e degli strati EPI (Suscettore TaC rivestito in grafite) e prolungare la vita dei componenti chiave del reattore. L'uso del rivestimento TaC in carburo di tantalio serve a risolvere il problema dei bordi e migliorare la qualità della crescita dei cristalli, e Semicera ha risolto in modo rivoluzionario la tecnologia di rivestimento in carburo di tantalio (CVD), raggiungendo il livello avanzato internazionale.

 

La grafite è un materiale eccellente per le alte temperature, ma si ossida facilmente alle alte temperature. Anche nei forni sotto vuoto con gas inerte può ancora subire una lenta ossidazione. L'utilizzo di un rivestimento in carburo di tantalio (TaC) CVD può proteggere efficacemente il substrato di grafite, fornendo la stessa resistenza alle alte temperature della grafite. Il TaC è anche un materiale inerte, il che significa che non reagisce con gas come l'argon o l'idrogeno ad alte temperature.InchiestaSuscettore EPI con rivestimento CVD in carburo di tantalio Ora!

Dopo anni di sviluppo, Semicera ha conquistato la tecnologia delCVD TaCcon gli sforzi congiunti del dipartimento di ricerca e sviluppo. È facile che si verifichino difetti nel processo di crescita dei wafer SiC, ma dopo l'usoTaC, la differenza è significativa. Di seguito è riportato un confronto tra wafer con e senza TaC, nonché parti di Simicera per la crescita di cristalli singoli.

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con e senza TaC

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Dopo aver utilizzato TaC (a destra)

Inoltre, SemiceraProdotti rivestiti in TaCmostrano una durata di servizio più lunga e una maggiore resistenza alle alte temperature rispetto aRivestimenti SiC.Misure di laboratorio hanno dimostrato che il nsRivestimenti TaCpuò funzionare costantemente a temperature fino a 2300 gradi Celsius per periodi prolungati. Di seguito sono riportati alcuni esempi dei nostri campioni:

 
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Luogo di lavoro Semicera
Luogo di lavoro Semicera 2
Macchina per attrezzature
Magazzino Semicera
Lavorazione CNN, pulizia chimica, rivestimento CVD
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