Semiceraintroduce ilWafer Epi GaN-on-Si ad alta potenza da 850 V, una svolta nell'innovazione dei semiconduttori. Questo wafer epi avanzato combina l'elevata efficienza del nitruro di gallio (GaN) con il rapporto costo-efficacia del silicio (Si), creando una potente soluzione per applicazioni ad alta tensione.
Caratteristiche principali:
•Gestione dell'alta tensione: Progettato per supportare fino a 850 V, questo wafer Epi GaN-on-Si è ideale per l'elettronica di potenza più esigente, consentendo efficienza e prestazioni più elevate.
•Densità di potenza migliorata: Grazie alla mobilità degli elettroni e alla conduttività termica superiori, la tecnologia GaN consente design compatti e una maggiore densità di potenza.
•Soluzione conveniente: Sfruttando il silicio come substrato, questo epi wafer offre un'alternativa economica ai tradizionali wafer GaN, senza compromettere la qualità o le prestazioni.
•Ampia gamma di applicazioni: Perfetto per l'uso in convertitori di potenza, amplificatori RF e altri dispositivi elettronici ad alta potenza, garantendo affidabilità e durata.
Esplora il futuro della tecnologia ad alta tensione con SemiceraWafer Epi GaN-on-Si ad alta potenza da 850 V. Progettato per applicazioni all'avanguardia, questo prodotto garantisce che i tuoi dispositivi elettronici funzionino con la massima efficienza e affidabilità. Scegli Semicera per le tue esigenze di semiconduttori di prossima generazione.
| Elementi | Produzione | Ricerca | Manichino |
| Parametri di cristallo | |||
| Politipo | 4H | ||
| Errore di orientamento della superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parametri Elettrici | |||
| Dopante | Azoto di tipo n | ||
| Resistività | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parametri meccanici | |||
| Diametro | 150,0±0,2 mm | ||
| Spessore | 350±25μm | ||
| Orientamento piatto primario | [1-100]±5° | ||
| Lunghezza piatta primaria | 47,5±1,5 mm | ||
| Appartamento secondario | Nessuno | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Ordito | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| Rugosità anteriore (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Struttura | |||
| Densità del microtubo | <1 pezzo/cm2 | <10 pezzi/cm2 | <15 pezzi/cm2 |
| Impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ciascuno/cm2 | ≤3000 ciascuno/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ciascuno/cm2 | ≤1000 ciascuno/cm2 | NA |
| Qualità frontale | |||
| Fronte | Si | ||
| Finitura superficiale | Si-face CMP | ||
| Particelle | ≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm) | NA | |
| Graffi | ≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro | Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro | NA |
| Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione | Nessuno | NA | |
| Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi | Nessuno | ||
| Aree di politipo | Nessuno | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
| Marcatura laser frontale | Nessuno | ||
| Indietro Qualità | |||
| Finitura posteriore | CMP faccia C | ||
| Graffi | ≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro | NA | |
| Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi) | Nessuno | ||
| Rugosità della schiena | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Marcatura laser sul retro | 1 mm (dal bordo superiore) | ||
| Bordo | |||
| Bordo | Smussare | ||
| Confezione | |||
| Confezione | Epi-ready con confezionamento sottovuoto Confezione in cassetta multi-wafer | ||
| *Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD. | |||
