Deposizione epitassiale del rivestimento CVD SiC nel sistema di reattore epitassia

Breve descrizione:

Semicera offre una gamma completa di suscettori e componenti in grafite progettati per vari reattori epitassia.

Attraverso partnership strategiche con OEM leader del settore, vasta esperienza nei materiali e capacità di produzione avanzate, Semicera offre progetti su misura per soddisfare i requisiti specifici della vostra applicazione. Il nostro impegno per l'eccellenza garantisce che riceviate soluzioni ottimali per le vostre esigenze di reattori epitassia.

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La nostra azienda fornisceRivestimento SiCservizi di processo sulla superficie di grafite, ceramica e altri materiali mediante metodo CVD, in modo che gas speciali contenenti carbonio e silicio possano reagire ad alta temperatura per ottenere molecole di Sic di elevata purezza, che possono essere depositate sulla superficie dei materiali rivestiti per formare unStrato protettivo in SiCper tipo ipnotico a botte.

Caratteristiche principali:

1. Grafite rivestita in SiC ad alta purezza

2. Resistenza al calore e uniformità termica superiori

3. BeneRivestimento in cristallo SiCper una superficie liscia

4. Elevata resistenza alla pulizia chimica

Deposizione epitassiale CVD nel reattore a barile

Specifiche principali diRivestimento CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (CTE)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300