Deposizione epitassiale del rivestimento CVD SiC nel sistema di reattore epitassia

Breve descrizione:

Semicera offre una gamma completa di suscettori e componenti in grafite progettati per vari reattori epitassia.

Attraverso partnership strategiche con OEM leader del settore, vasta esperienza nei materiali e capacità di produzione avanzate, Semicera offre progetti su misura per soddisfare i requisiti specifici della vostra applicazione. Il nostro impegno per l'eccellenza garantisce che riceviate soluzioni ottimali per le vostre esigenze di reattori epitassia.

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La nostra azienda fornisceRivestimento SiCservizi di processo sulla superficie di grafite, ceramica e altri materiali mediante metodo CVD, in modo che gas speciali contenenti carbonio e silicio possano reagire ad alta temperatura per ottenere molecole di Sic di elevata purezza, che possono essere depositate sulla superficie dei materiali rivestiti per formare unStrato protettivo SiCper tipo ipnotico a botte.

Caratteristiche principali:

1. Grafite rivestita in SiC ad alta purezza

2. Resistenza al calore e uniformità termica superiori

3. BeneRivestimento in cristallo SiCper una superficie liscia

4. Elevata resistenza alla pulizia chimica

Deposizione epitassiale CVD nel reattore a barile

Specifiche principali diRivestimento CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (CTE)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300