Semicera Semicera fornisce rivestimenti specializzati in carburo di tantalio (TaC) per vari componenti e supporti.Semicera Il processo di rivestimento leader di Semicera consente ai rivestimenti in carburo di tantalio (TaC) di raggiungere elevata purezza, stabilità alle alte temperature ed elevata tolleranza chimica, migliorando la qualità del prodotto dei cristalli SIC/GAN e degli strati EPI (Suscettore TaC rivestito in grafite) e prolungare la vita dei componenti chiave del reattore.L'uso del rivestimento TaC in carburo di tantalio serve a risolvere il problema dei bordi e migliorare la qualità della crescita dei cristalli, e Semicera Semicera ha risolto in modo rivoluzionario la tecnologia di rivestimento in carburo di tantalio (CVD), raggiungendo il livello avanzato internazionale.
Dopo anni di sviluppo, Semicera ha conquistato la tecnologia delCVD TaCcon gli sforzi congiunti del dipartimento di ricerca e sviluppo.È facile che si verifichino difetti nel processo di crescita dei wafer SiC, ma dopo l'usoTaC, la differenza è significativa.Di seguito è riportato un confronto tra wafer con e senza TaC, nonché parti di Simicera per la crescita di cristalli singoli
con e senza TaC
Dopo aver utilizzato TaC (a destra)
Inoltre, la durata dei prodotti di rivestimento TaC di Semicera è più lunga e più resistente alle alte temperature rispetto a quella del rivestimento SiC.Dopo un lungo periodo di dati di misurazione di laboratorio, il nostro TaC può funzionare a lungo ad un massimo di 2300 gradi Celsius.Di seguito sono riportati alcuni dei nostri campioni:
(a) Diagramma schematico del dispositivo di crescita di lingotti monocristallini di SiC mediante metodo PVT (b) Staffa seme superiore rivestita in TaC (incluso seme di SiC) (c) Anello guida in grafite rivestito in TAC
