Supporto in grafite rivestito in SiC di lunga durata per wafer solare

Breve descrizione:

Il carburo di silicio è un nuovo tipo di ceramica con prestazioni ad alto costo ed eccellenti proprietà del materiale. Grazie a caratteristiche quali elevata resistenza e durezza, resistenza alle alte temperature, ottima conduttività termica e resistenza alla corrosione chimica, il carburo di silicio può resistere quasi a tutti i mezzi chimici. Pertanto, il SiC è ampiamente utilizzato nell'estrazione petrolifera, nel settore chimico, nei macchinari e nello spazio aereo, anche nell'energia nucleare e l'esercito ha le sue esigenze speciali sul SIC. Alcune normali applicazioni che possiamo offrire sono anelli di tenuta per pompe, valvole, armature protettive, ecc.

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Vantaggi

Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura
Eccellente resistenza alla corrosione
Buona resistenza all'abrasione
Alto coefficiente di conducibilità termica
Autolubrificazione, bassa densità
Elevata durezza
Progettazione personalizzata.

Applicazioni

-Campo resistente all'usura: boccola, piastra, ugello di sabbiatura, rivestimento del ciclone, cilindro di macinazione, ecc...
-Campo ad alta temperatura: lastra siC, tubo del forno di tempra, tubo radiante, crogiolo, elemento riscaldante, rullo, trave, scambiatore di calore, tubo dell'aria fredda, ugello del bruciatore, tubo di protezione della termocoppia, barca SiC, struttura del carrello del forno, setter, ecc.
-Semiconduttore in carburo di silicio: barca wafer SiC, mandrino sic, pagaia sic, cassetta sic, tubo di diffusione sic, forcella wafer, piastra di aspirazione, guida, ecc.
-Campo di tenuta in carburo di silicio: tutti i tipi di anelli di tenuta, cuscinetti, boccole, ecc.
-Campo fotovoltaico: pala a sbalzo, cilindro di macinazione, rullo in carburo di silicio, ecc.
-Campo di batterie al litio

CIALDA (1)

CIALDA (2)

Proprietà fisiche del SiC

Proprietà	Valore	Metodo
Densità	3,21 g/cc	Galleggiante e dimensioni
Calore specifico	0,66 J/g°K	Flash laser pulsato
Resistenza alla flessione	450 MPa560 MPa	Curva a 4 punti, curva RT4 punti, 1300°
Resistenza alla frattura	2,94MPa·m1/2	Microindentazione
Durezza	2800	Vicker's, carico da 500 g
Modulo elastico Modulo di Young	450 GPa430 GPa	Curvatura 4 pt, curvatura RT4 pt, 1300 °C
Dimensione del grano	2 – 10 µm	SEM

Proprietà termiche del SiC

Conducibilità termica	250 W/m²K	Metodo flash laser, RT
Dilatazione Termica (CTE)	4,5x10-6°K	Temperatura ambiente fino a 950 °C, dilatometro alla silice

Parametri tecnici

Articolo	Unità	Dati
Articolo	Unità	RBSiC(SiSiC)	NBSiC	SSiC	RSiC	OSiC
Contenuto di SiC	%	85	75	99	99,9	≥99
Contenuto di silicio libero	%	15	0	0	0	0
Temperatura massima di servizio	℃	1380	1450	1650	1620	1400
Densità	g/cm³	3.02	2,75-2,85	3.08-3.16	2,65-2,75	2,75-2,85
Porosità aperta	%	0	13-15	0	15-18	7-8
Resistenza alla flessione 20 ℃	Мpa	250	160	380	100	/
Resistenza alla flessione 1200 ℃	Мpa	280	180	400	120	/
Modulo di elasticità 20℃	GP	330	580	420	240	/
Modulo di elasticità 1200℃	GP	300	/	/	200	/
Conduttività termica 1200 ℃	W/mK	45	19.6	100-120	36.6	/
Coefficiente di dilatazione termica	K^-1X10^-6	4.5	4.7	4.1	4.69	/
HV	Kg/mq^m2	2115	/	2800	/	/

Il rivestimento CVD in carburo di silicio sulla superficie esterna dei prodotti ceramici in carburo di silicio ricristallizzato può raggiungere una purezza superiore al 99,9999% per soddisfare le esigenze dei clienti dell'industria dei semiconduttori.