Disco epitassiale in silicio monocristallino rivestito in SiC semiconduttore

Disco epitassiale in silicio monocristallino rivestito in SiC a semiconduttore Immagine in evidenza

Breve descrizione:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. è un fornitore leader specializzato in wafer e materiali di consumo per semiconduttori avanzati.Ci impegniamo a fornire prodotti di alta qualità, affidabili e innovativi alla produzione di semiconduttori,settore fotovoltaicoe altri campi correlati.

La nostra linea di prodotti comprende prodotti in grafite rivestita SiC/TaC e prodotti ceramici, che comprendono vari materiali come carburo di silicio, nitruro di silicio e ossido di alluminio ecc.

In qualità di fornitore affidabile, comprendiamo l'importanza dei materiali di consumo nel processo di produzione e ci impegniamo a fornire prodotti che soddisfino i più elevati standard di qualità per soddisfare le esigenze dei nostri clienti.

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Descrizione

La nostra azienda fornisceRivestimento SiCservizi di processo mediante metodo CVD sulla superficie di grafite, ceramica e altri materiali, in modo che gas speciali contenenti carbonio e silicio reagiscano ad alta temperatura per ottenere molecole di SiC di elevata purezza, molecole depositate sulla superficie dei materiali rivestiti, formandoStrato protettivo SIC.

Foglio epitassiale in silicio monocristallino

Caratteristiche principali

1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura:
la resistenza all'ossidazione è ancora molto buona anche quando la temperatura arriva fino a 1600 C.
2. Elevata purezza: prodotto mediante deposizione di vapori chimici in condizioni di clorazione ad alta temperatura.
3. Resistenza all'erosione: elevata durezza, superficie compatta, particelle fini.
4. Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (CTE)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300