Si Epitassia

Breve descrizione:

Si Epitassia– Ottieni prestazioni superiori del dispositivo con Si Epitaxy di Semicera, che offre strati di silicio realizzati con precisione per applicazioni avanzate di semiconduttori.


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Semicerapresenta la sua alta qualitàSi Epitassiaservizi, progettati per soddisfare gli standard rigorosi dell'odierna industria dei semiconduttori. Gli strati di silicio epitassiale sono fondamentali per le prestazioni e l'affidabilità dei dispositivi elettronici e le nostre soluzioni Si Epitaxy garantiscono che i tuoi componenti raggiungano una funzionalità ottimale.

Strati di silicio coltivati ​​con precisione Semiceracapisce che il fondamento di dispositivi ad alte prestazioni risiede nella qualità dei materiali utilizzati. NostroSi EpitassiaIl processo è meticolosamente controllato per produrre strati di silicio con eccezionale uniformità e integrità dei cristalli. Questi strati sono essenziali per applicazioni che vanno dalla microelettronica ai dispositivi di potenza avanzati, dove coerenza e affidabilità sono fondamentali.

Ottimizzato per le prestazioni del dispositivoILSi Epitassiai servizi offerti da Semicera sono personalizzati per migliorare le proprietà elettriche dei vostri dispositivi. Sviluppando strati di silicio ad elevata purezza con bassa densità di difetti, garantiamo che i tuoi componenti funzionino al meglio, con una migliore mobilità dei portatori e una resistività elettrica ridotta al minimo. Questa ottimizzazione è fondamentale per ottenere le caratteristiche di alta velocità e alta efficienza richieste dalla tecnologia moderna.

Versatilità nelle applicazioni Semicera'SSi Epitassiaè adatto per un'ampia gamma di applicazioni, inclusa la produzione di transistor CMOS, MOSFET di potenza e transistor a giunzione bipolare. Il nostro processo flessibile consente la personalizzazione in base ai requisiti specifici del tuo progetto, sia che tu abbia bisogno di strati sottili per applicazioni ad alta frequenza o strati più spessi per dispositivi di potenza.

Qualità dei materiali superioreLa qualità è al centro di tutto ciò che facciamo in Semicera. NostroSi EpitassiaIl processo utilizza attrezzature e tecniche all'avanguardia per garantire che ogni strato di silicio soddisfi i più elevati standard di purezza e integrità strutturale. Questa attenzione ai dettagli riduce al minimo il verificarsi di difetti che potrebbero influire sulle prestazioni del dispositivo, con il risultato di componenti più affidabili e più durevoli.

Impegno per l'innovazione Semicerasi impegna a rimanere all'avanguardia nella tecnologia dei semiconduttori. NostroSi Epitassiai servizi riflettono questo impegno, incorporando gli ultimi progressi nelle tecniche di crescita epitassiale. Perfezioniamo continuamente i nostri processi per fornire strati di silicio che soddisfino le esigenze in evoluzione del settore, garantendo che i vostri prodotti rimangano competitivi sul mercato.

Soluzioni su misura per le vostre esigenzeCapire che ogni progetto è unico,Semiceraofferte personalizzateSi Epitassiasoluzioni adatte alle vostre esigenze specifiche. Se avete bisogno di particolari profili di drogaggio, spessori di strato o finiture superficiali, il nostro team lavora a stretto contatto con voi per fornire un prodotto che soddisfi le vostre precise specifiche.

Elementi

Produzione

Ricerca

Manichino

Parametri di cristallo

Politipo

4H

Errore di orientamento della superficie

<11-20 >4±0,15°

Parametri Elettrici

Dopante

Azoto di tipo n

Resistività

0,015-0,025ohm·cm

Parametri meccanici

Diametro

150,0±0,2 mm

Spessore

350±25μm

Orientamento piatto primario

[1-100]±5°

Lunghezza piatta primaria

47,5±1,5 mm

Appartamento secondario

Nessuno

TTV

≤5μm

≤10μm

≤15μm

LTV

≤3μm(5mm*5mm)

≤5μm(5mm*5mm)

≤10μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Ordito

≤35μm

≤45μm

≤55μm

Rugosità anteriore (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Struttura

Densità del microtubo

<1 pezzo/cm2

<10 pezzi/cm2

<15 pezzi/cm2

Impurità metalliche

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ciascuno/cm2

≤3000 ciascuno/cm2

NA

TSD

≤500 ciascuno/cm2

≤1000 ciascuno/cm2

NA

Qualità frontale

Fronte

Si

Finitura superficiale

Si-face CMP

Particelle

≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm)

NA

Graffi

≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro

Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro

NA

Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione

Nessuno

NA

Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi

Nessuno

Aree di politipo

Nessuno

Area cumulativa ≤ 20%

Area cumulativa ≤ 30%

Marcatura laser frontale

Nessuno

Indietro Qualità

Finitura posteriore

CMP faccia C

Graffi

≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro

NA

Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi)

Nessuno

Rugosità della schiena

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Marcatura laser sul retro

1 mm (dal bordo superiore)

Bordo

Bordo

Smussare

Confezione

Confezione

Epi-ready con confezionamento sottovuoto

Confezione in cassetta multi-wafer

*Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD.

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Wafer SiC

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