Semicerapresenta la sua alta qualitàSi Epitassiaservizi, progettati per soddisfare gli standard rigorosi dell'odierna industria dei semiconduttori. Gli strati di silicio epitassiale sono fondamentali per le prestazioni e l'affidabilità dei dispositivi elettronici e le nostre soluzioni Si Epitaxy garantiscono che i tuoi componenti raggiungano una funzionalità ottimale.
Strati di silicio coltivati con precisione Semiceracapisce che il fondamento di dispositivi ad alte prestazioni risiede nella qualità dei materiali utilizzati. NostroSi EpitassiaIl processo è meticolosamente controllato per produrre strati di silicio con eccezionale uniformità e integrità dei cristalli. Questi strati sono essenziali per applicazioni che vanno dalla microelettronica ai dispositivi di potenza avanzati, dove coerenza e affidabilità sono fondamentali.
Ottimizzato per le prestazioni del dispositivoILSi Epitassiai servizi offerti da Semicera sono personalizzati per migliorare le proprietà elettriche dei vostri dispositivi. Sviluppando strati di silicio ad elevata purezza con bassa densità di difetti, garantiamo che i tuoi componenti funzionino al meglio, con una migliore mobilità dei portatori e una resistività elettrica ridotta al minimo. Questa ottimizzazione è fondamentale per ottenere le caratteristiche di alta velocità e alta efficienza richieste dalla tecnologia moderna.
Versatilità nelle applicazioni Semicera'SSi Epitassiaè adatto per un'ampia gamma di applicazioni, inclusa la produzione di transistor CMOS, MOSFET di potenza e transistor a giunzione bipolare. Il nostro processo flessibile consente la personalizzazione in base ai requisiti specifici del tuo progetto, sia che tu abbia bisogno di strati sottili per applicazioni ad alta frequenza o strati più spessi per dispositivi di potenza.
Qualità dei materiali superioreLa qualità è al centro di tutto ciò che facciamo in Semicera. NostroSi EpitassiaIl processo utilizza attrezzature e tecniche all'avanguardia per garantire che ogni strato di silicio soddisfi i più elevati standard di purezza e integrità strutturale. Questa attenzione ai dettagli riduce al minimo il verificarsi di difetti che potrebbero influire sulle prestazioni del dispositivo, con il risultato di componenti più affidabili e più durevoli.
Impegno per l'innovazione Semicerasi impegna a rimanere all'avanguardia nella tecnologia dei semiconduttori. NostroSi Epitassiai servizi riflettono questo impegno, incorporando gli ultimi progressi nelle tecniche di crescita epitassiale. Perfezioniamo continuamente i nostri processi per fornire strati di silicio che soddisfino le esigenze in evoluzione del settore, garantendo che i vostri prodotti rimangano competitivi sul mercato.
Soluzioni su misura per le vostre esigenzeCapire che ogni progetto è unico,Semiceraofferte personalizzateSi Epitassiasoluzioni adatte alle vostre esigenze specifiche. Se avete bisogno di particolari profili di drogaggio, spessori di strato o finiture superficiali, il nostro team lavora a stretto contatto con voi per fornire un prodotto che soddisfi le vostre precise specifiche.
Elementi | Produzione | Ricerca | Manichino |
Parametri di cristallo | |||
Politipo | 4H | ||
Errore di orientamento della superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
Parametri Elettrici | |||
Dopante | Azoto di tipo n | ||
Resistività | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Parametri meccanici | |||
Diametro | 150,0±0,2 mm | ||
Spessore | 350±25μm | ||
Orientamento piatto primario | [1-100]±5° | ||
Lunghezza piatta primaria | 47,5±1,5 mm | ||
Appartamento secondario | Nessuno | ||
TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Ordito | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
Rugosità anteriore (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Struttura | |||
Densità del microtubo | <1 pezzo/cm2 | <10 pezzi/cm2 | <15 pezzi/cm2 |
Impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ciascuno/cm2 | ≤3000 ciascuno/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ciascuno/cm2 | ≤1000 ciascuno/cm2 | NA |
Qualità frontale | |||
Fronte | Si | ||
Finitura superficiale | Si-face CMP | ||
Particelle | ≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm) | NA | |
Graffi | ≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro | Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro | NA |
Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione | Nessuno | NA | |
Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi | Nessuno | ||
Aree di politipo | Nessuno | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
Marcatura laser frontale | Nessuno | ||
Indietro Qualità | |||
Finitura posteriore | CMP faccia C | ||
Graffi | ≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro | NA | |
Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi) | Nessuno | ||
Rugosità della schiena | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Marcatura laser sul retro | 1 mm (dal bordo superiore) | ||
Bordo | |||
Bordo | Smussare | ||
Confezione | |||
Confezione | Epi-ready con confezionamento sottovuoto Confezione in cassetta multi-wafer | ||
*Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD. |