Semicera si è auto-sviluppatoGuarnizione Ceramica SiC Partè progettato per soddisfare gli elevati standard della moderna produzione di semiconduttori. Questa parte di tenuta utilizza alte prestazionicarburo di silicio (SiC)materiale con eccellente resistenza all'usura e stabilità chimica per garantire eccellenti prestazioni di tenuta in ambienti estremi. Combinato conossido di alluminio (Al2O3)Enitruro di silicio (Si3N4), questa parte funziona bene in applicazioni ad alta temperatura e può prevenire efficacemente perdite di gas e liquidi.
Se utilizzato insieme ad apparecchiature comebarche di wafere portawafer, Semicera'sGuarnizione Ceramica SiC Partpuò migliorare significativamente l’efficienza e l’affidabilità dell’intero sistema. La sua superiore resistenza alla temperatura e alla corrosione lo rendono un componente indispensabile nella produzione di semiconduttori ad alta precisione, garantendo stabilità e sicurezza durante il processo di produzione.
Inoltre, il design di questa parte di tenuta è stato attentamente ottimizzato per garantire la compatibilità con una varietà di apparecchiature, facilitandone l'utilizzo in diverse linee di produzione. Il team di ricerca e sviluppo di Semicera continua a lavorare duramente per promuovere l'innovazione tecnologica per garantire la competitività dei suoi prodotti nel settore.
La scelta di SemiceraGuarnizione Ceramica SiC Part, otterrai una combinazione di alte prestazioni e affidabilità, che ti aiuterà a ottenere processi produttivi più efficienti e un'eccellente qualità del prodotto. Semicera è sempre impegnata a fornire ai clienti le migliori soluzioni e servizi di semiconduttori per promuovere il continuo sviluppo e progresso del settore.
✓Alta qualità nel mercato cinese
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Suscettore della crescita epitassia
I wafer di silicio/carburo di silicio devono passare attraverso molteplici processi per essere utilizzati nei dispositivi elettronici. Un processo importante è l'epitassia silicio/sic, in cui i wafer silicio/sic sono supportati su una base di grafite. I vantaggi speciali della base in grafite rivestita in carburo di silicio di Semicera includono purezza estremamente elevata, rivestimento uniforme e durata estremamente lunga. Hanno anche un'elevata resistenza chimica e stabilità termica.
Produzione di chip LED
Durante il rivestimento estensivo del reattore MOCVD, la base planetaria o supporto sposta il wafer del substrato. Le prestazioni del materiale di base hanno una grande influenza sulla qualità del rivestimento, che a sua volta influisce sul tasso di scarto del truciolo. La base rivestita in carburo di silicio di Semicera aumenta l'efficienza produttiva dei wafer LED di alta qualità e riduce al minimo la deviazione della lunghezza d'onda. Forniamo anche componenti aggiuntivi in grafite per tutti i reattori MOCVD attualmente in uso. Possiamo rivestire quasi tutti i componenti con un rivestimento in carburo di silicio, anche se il diametro del componente è fino a 1,5 M, possiamo comunque rivestire con carburo di silicio.
Campo dei semiconduttori, processo di diffusione dell'ossidazione, ecc.
Nel processo dei semiconduttori, il processo di espansione dell'ossidazione richiede un'elevata purezza del prodotto e presso Semicera offriamo servizi di rivestimento CVD e personalizzati per la maggior parte delle parti in carburo di silicio.
L'immagine seguente mostra l'impasto grezzo di carburo di silicio di Semicea e il tubo del forno di carburo di silicio che viene pulito nel 1000-livelloprivo di polverecamera. I nostri operai lavorano prima del rivestimento. La purezza del nostro carburo di silicio può raggiungere il 99,99% e la purezza del rivestimento sic è superiore al 99,99995%.
Paletta in carburo di silicio grezzo e tubo di processo SiC in fase di pulizia
Barca con wafer in carburo di silicio rivestita in CVD SiC
