Epitassia LED blu/verde

Breve descrizione:

La nostra azienda fornisce servizi di processo di rivestimento SiC con metodo CVD sulla superficie di grafite, ceramica e altri materiali, in modo che gas speciali contenenti carbonio e silicio reagiscano ad alta temperatura per ottenere molecole SiC di elevata purezza, molecole depositate sulla superficie dei materiali rivestiti, formando lo strato protettivo SIC.

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Caratteristiche principali:

1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura:

la resistenza all'ossidazione è ancora molto buona anche quando la temperatura arriva fino a 1600 C.

2. Elevata purezza: prodotto mediante deposizione di vapori chimici in condizioni di clorazione ad alta temperatura.

3. Resistenza all'erosione: elevata durezza, superficie compatta, particelle fini.

4. Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.

Specifiche principali diRivestimento CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (CTE)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300