Suscettore LED UV profondo rivestito in SiC: componente MOCVD avanzato per epitassia ad alte prestazioni
Panoramica:Il suscettore LED UV profondo rivestito in SiC è un componente critico nei processi MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), progettato specificamente per supportare la crescita efficiente e stabile dello strato epitassiale LED UV profondo. Noi di Semicera siamo un produttore e fornitore leader di suscettori rivestiti in SiC e offriamo prodotti che soddisfano i più elevati standard del settore. Con anni di esperienza e partnership a lungo termine con i principali produttori di LED epitassiali, le nostre soluzioni susceptor sono apprezzate a livello globale.
Caratteristiche e vantaggi principali:
▪Ottimizzato per l'epitassia LED UV profonda:Appositamente progettato per la crescita epitassiale ad alte prestazioni di LED UV profondi, compresi quelli nella gamma di lunghezze d'onda <260 nm (utilizzati nella disinfezione UV-C, nella sterilizzazione e in altre applicazioni).
▪Materiale e rivestimento:Prodotto in grafite SGL di alta qualità, rivestito conCVD SiC, garantendo un'eccellente resistenza a NH3, HCl e agli ambienti ad alta temperatura. Questo rivestimento durevole migliora le prestazioni e la longevità.
▪Gestione termica di precisione:Le tecniche di lavorazione avanzate garantiscono una distribuzione uniforme del calore, prevenendo gradienti di temperatura che potrebbero influire sulla crescita dello strato epitassiale, migliorando l'uniformità e la qualità del materiale.
▪ Compatibilità dilatazione termica:Corrisponde al coefficiente di espansione termica dei wafer epitassiali AlN/GaN, riducendo al minimo il rischio di deformazione o rottura del wafer durante laMOCVDprocesso.
Adattabile alle principali apparecchiature MOCVD: compatibile con i principali sistemi MOCVD come Veeco K465i, EPIK 700 e Aixtron Crius, supporta dimensioni wafer da 2 a 8 pollici e offre soluzioni personalizzate per design degli slot, temperatura di processo e altri parametri.
Applicazioni:
▪ Produzione di LED UV profondi:Ideale per l'epitassia dei LED UV profondi utilizzati in applicazioni come la disinfezione e la sterilizzazione UV-C.
▪ Epitassia dei semiconduttori di nitruro:Adatto per processi epitassiali GaN e AlN nella produzione di dispositivi a semiconduttore.
▪ Ricerca e sviluppo:Sostenere esperimenti di epitassia avanzati per università e istituti di ricerca focalizzati su materiali UV profondi e nuove tecnologie.
Perché scegliere Semicera?
▪ Qualità comprovata:NostroRivestito in SiCi suscettori LED UV profondi sono sottoposti a rigorose verifiche per garantire che corrispondano alle prestazioni dei principali produttori internazionali.
▪ Soluzioni su misura:Offriamo prodotti personalizzati per soddisfare le esigenze specifiche dei nostri clienti, garantendo prestazioni ottimali e affidabilità a lungo termine.
▪ Competenza globale:Come partner fidato di moltiLED epitassialeproduttori di tutto il mondo, Semicera porta tecnologia all'avanguardia e una ricchezza di esperienza in ogni progetto.
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