Suscettori con base in grafite rivestita in SiC per MOCVD

Suscettori con base in grafite rivestita in SiCper MOCVD di semicera sono progettati per fornire prestazioni eccezionali nei processi di crescita epitassiale. Il rivestimento in carburo di silicio di alta qualità sulla base in grafite garantisce stabilità, durata e conduttività termica ottimale durante le operazioni MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition). Utilizzando l'innovativa tecnologia dei suscettori di semicera, è possibile ottenere maggiore precisione ed efficienzaSi EpitassiaEEpitassia SiCapplicazioni.

QuestiSuscettori MOCVDsono progettati per supportare una gamma di componenti semiconduttori essenziali, comeSupporto per incisione PSS, Supporto per incisione ICP, EPortante RTP, rendendoli versatili per varie attività di incisione ed epitassiale. L'impegno di Semicera verso standard elevati garantisce che questi suscettori soddisfino i rigorosi requisiti della moderna produzione di semiconduttori.

Ideale per l'uso inLED epitassialeProcessi Susceptor, Barrel Susceptor e Silicio monocristallino, questi suscettori possono essere personalizzati per diverse dimensioni di wafer, comprese le configurazioni Pancake Susceptor. Sono anche molto efficaci nella gestione delle parti fotovoltaiche, rendendoli un componente cruciale nello sviluppo di celle solari efficienti.

Inoltre, i suscettori a base di grafite rivestiti in SiC per MOCVD sono ottimizzati per GaN su epitassia SiC, offrendo un'elevata compatibilità con materiali semiconduttori avanzati. Che tu sia concentrato sul miglioramento delle rese o sul miglioramento della qualità della crescita epitassiale, i suscettori di semicera forniscono l'affidabilità e le prestazioni necessarie per il successo nei settori high-tech.