Disco in Carburo di Silicio per MOCVD

ILDisco in carburo di silicioper MOCVD di semicera, una soluzione ad alte prestazioni progettata per un'efficienza ottimale nei processi di crescita epitassiale. Il disco semicera in carburo di silicio offre eccezionale stabilità termica e precisione, rendendolo un componente essenziale nei processi Si Epitassia e SiC Epitassia. Progettato per resistere alle alte temperature e alle condizioni impegnative delle applicazioni MOCVD, questo disco garantisce prestazioni affidabili e longevità.

Il nostro disco in carburo di silicio è compatibile con un'ampia gamma di configurazioni MOCVD, tra cuiSuscettore MOCVDsistemi e supporta processi avanzati come GaN su SiC Epitaxy. Si integra perfettamente anche con i sistemi PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier e RTP Carrier, migliorando la precisione e la qualità della produzione. Sia che venga utilizzato per la produzione di silicio monocristallino o per applicazioni suscettore epitassiale LED, questo disco garantisce risultati eccezionali.

Inoltre, il disco in carburo di silicio di semicera è adattabile a varie configurazioni, comprese le configurazioni con suscettore Pancake e Suscettore Barrel, offrendo flessibilità in diversi ambienti di produzione. L'inclusione di parti fotovoltaiche estende ulteriormente la sua applicazione alle industrie dell'energia solare, rendendolo un componente versatile e indispensabile per il modernoepitassialecrescita e produzione di semiconduttori.