Suscettore in grafite con supporto per wafer con rivestimento in carburo di silicio

Breve descrizione:

Semicera offre una gamma completa di suscettori e componenti in grafite progettati per vari reattori epitassia.

Attraverso partnership strategiche con OEM leader del settore, vasta esperienza nei materiali e capacità di produzione avanzate, Semicera offre progetti su misura per soddisfare i requisiti specifici della vostra applicazione. Il nostro impegno per l'eccellenza garantisce che riceviate soluzioni ottimali per le vostre esigenze di reattori epitassia.

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Dettagli del prodotto

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Descrizione

Il rivestimento CVD-SiC ha le caratteristiche di struttura uniforme, materiale compatto, resistenza alle alte temperature, resistenza all'ossidazione, elevata purezza, resistenza agli acidi e agli alcali e reagenti organici, con proprietà fisiche e chimiche stabili.
Rispetto ai materiali in grafite ad elevata purezza, la grafite inizia a ossidarsi a 400°C, causando una perdita di polvere dovuta all'ossidazione, con conseguente inquinamento ambientale dei dispositivi periferici e delle camere a vuoto e aumento delle impurità dell'ambiente ad elevata purezza.
Tuttavia, il rivestimento SiC può mantenere la stabilità fisica e chimica a 1600 gradi. È ampiamente utilizzato nell'industria moderna, in particolare nell'industria dei semiconduttori.

FDVCDV

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La nostra azienda fornisce servizi di processo di rivestimento SiC con metodo CVD sulla superficie di grafite, ceramica e altri materiali, in modo che gas speciali contenenti carbonio e silicio reagiscano ad alta temperatura per ottenere molecole SiC di elevata purezza, molecole depositate sulla superficie dei materiali rivestiti, formando lo strato protettivo SIC. Il SIC formato è saldamente legato alla base di grafite, conferendo alla base di grafite proprietà speciali, rendendo così la superficie della grafite compatta, priva di porosità, resistente alle alte temperature, alla corrosione e all'ossidazione.

Applicazione

Caratteristiche principali

1. Grafite rivestita in SiC ad alta purezza

2. Resistenza al calore e uniformità termica superiori

3. Rivestimento in cristallo SiC fine per una superficie liscia

4. Elevata resistenza alla pulizia chimica

Specifiche principali dei rivestimenti CVD-SIC

SiC-CVD
Densità	(g/cc)	3.21
Resistenza alla flessione	(MPa)	470
Dilatazione termica	(10-6/K)	4
Conduttività termica	(W/mK)	300

Imballaggio e spedizione

Capacità di fornitura:
10000 pezzo/pezzi al mese
Imballaggio e consegna:
Imballaggio: imballaggio standard e robusto
Poli sacchetto + scatola + cartone + pallet
Porta:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Tempi di consegna: