Descrizione
La nostra azienda fornisceRivestimento SiCservizi di processo sulla superficie di grafite, ceramica e altri materiali mediante metodo CVD, in modo che gas speciali contenenti carbonio e silicio possano reagire ad alta temperatura per ottenere molecole di Sic di elevata purezza, che possono essere depositate sulla superficie dei materiali rivestiti per formare unStrato protettivo in SiCper epitassia di tipo ipnotico a botte.
Caratteristiche principali
1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura:
la resistenza all'ossidazione è ancora molto buona anche quando la temperatura arriva fino a 1600 C.
2. Elevata purezza: prodotto mediante deposizione di vapori chimici in condizioni di clorazione ad alta temperatura.
3. Resistenza all'erosione: elevata durezza, superficie compatta, particelle fini.
4. Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC
| Proprietà SiC-CVD | ||
| Struttura di cristallo | Fase β dell'FCC | |
| Densità | g/cm³ | 3.21 |
| Durezza | Durezza Vickers | 2500 |
| Granulometria | µm | 2~10 |
| Purezza chimica | % | 99.99995 |
| Capacità termica | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura di sublimazione | ℃ | 2700 |
| Forza flessionale | MPa (RT 4 punti) | 415 |
| Modulo di Young | Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃) | 430 |
| Dilatazione Termica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conduttività termica | (W/mK) | 300 |
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