Descrizione del prodotto
La nostra azienda fornisceRivestimento SiCservizi di processo mediante metodo CVD sulla superficie di grafite, ceramica e altri materiali, in modo che gas speciali contenenti carbonio e silicio reagiscano ad alta temperatura per ottenere molecole di SiC di elevata purezza, molecole depositate sulla superficie dei materiali rivestiti, formandoStrato protettivo SIC.
Caratteristiche principali:
1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura:
la resistenza all'ossidazione è ancora molto buona anche quando la temperatura arriva fino a 1600 C.
2. Elevata purezza: prodotto mediante deposizione di vapori chimici in condizioni di clorazione ad alta temperatura.
3. Resistenza all'erosione: elevata durezza, superficie compatta, particelle fini.
4. Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC
| Proprietà SiC-CVD | ||
| Struttura di cristallo | Fase β dell'FCC | |
| Densità | g/cm³ | 3.21 |
| Durezza | Durezza Vickers | 2500 |
| Granulometria | µm | 2~10 |
| Purezza chimica | % | 99.99995 |
| Capacità termica | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura di sublimazione | ℃ | 2700 |
| Forza flessionale | MPa (RT 4 punti) | 415 |
| Modulo di Young | Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃) | 430 |
| Dilatazione Termica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conduttività termica | (W/mK) | 300 |
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