Descrizione
I suscettori in grafite rivestiti SiC di Semicera sono progettati utilizzando substrati di grafite di alta qualità, che sono meticolosamente rivestiti con carburo di silicio (SiC) attraverso processi avanzati di deposizione chimica in fase vapore (CVD). Questo design innovativo garantisce un'eccezionale resistenza allo shock termico e alla degradazione chimica, estendendo significativamente la durata del suscettore in grafite rivestito in SiC e garantendo prestazioni affidabili durante l'intero processo di produzione dei semiconduttori.
Caratteristiche principali:
1. Conduttività termica superioreIl suscettore in grafite rivestito in SiC presenta un'eccezionale conduttività termica, fondamentale per un'efficiente dissipazione del calore durante la produzione di semiconduttori. Questa caratteristica riduce al minimo i gradienti termici sulla superficie del wafer, promuovendo una distribuzione uniforme della temperatura essenziale per ottenere le proprietà del semiconduttore desiderate.
2. Robusta resistenza agli shock chimici e termiciIl rivestimento SiC fornisce una protezione formidabile contro la corrosione chimica e gli shock termici, mantenendo l'integrità del suscettore in grafite anche in ambienti di lavorazione difficili. Questa maggiore durata riduce i tempi di inattività e prolunga la durata, contribuendo ad aumentare la produttività e l'efficienza dei costi negli impianti di produzione di semiconduttori.
3. Personalizzazione per esigenze specificheI nostri suscettori in grafite rivestiti in SiC possono essere personalizzati per soddisfare requisiti e preferenze specifici. Offriamo una gamma di opzioni di personalizzazione, comprese regolazioni delle dimensioni e variazioni dello spessore del rivestimento, per garantire flessibilità di progettazione e prestazioni ottimizzate per diverse applicazioni e parametri di processo.
Applicazioni:
ApplicazioniI rivestimenti Semicera SiC sono utilizzati in varie fasi della produzione di semiconduttori, tra cui:
1. -Fabbricazione di chip LED
2. -Produzione di polisilicio
3. - Crescita dei cristalli dei semiconduttori
4. -Epitassia del silicio e del SiC
5. -Ossidazione e diffusione termica (TO&D)