Di SemiceraEpitassia del carburo di silicioè progettato per soddisfare le rigorose esigenze delle moderne applicazioni dei semiconduttori. Utilizzando tecniche avanzate di crescita epitassiale, garantiamo che ogni strato di carburo di silicio presenti un'eccezionale qualità cristallina, uniformità e una densità minima di difetti. Queste caratteristiche sono cruciali per lo sviluppo di elettronica di potenza ad alte prestazioni, dove l’efficienza e la gestione termica sono fondamentali.
ILEpitassia del carburo di silicioIl processo presso Semicera è ottimizzato per produrre strati epitassiali con spessore preciso e controllo del doping, garantendo prestazioni costanti su una vasta gamma di dispositivi. Questo livello di precisione è essenziale per le applicazioni nei veicoli elettrici, nei sistemi di energia rinnovabile e nelle comunicazioni ad alta frequenza, dove l'affidabilità e l'efficienza sono fondamentali.
Inoltre, SemiceraEpitassia del carburo di siliciooffre una migliore conduttività termica e una tensione di rottura più elevata, rendendolo la scelta preferita per i dispositivi che funzionano in condizioni estreme. Queste proprietà contribuiscono a prolungare la durata dei dispositivi e a migliorare l'efficienza complessiva del sistema, in particolare in ambienti ad alta potenza e alta temperatura.
Semicera fornisce anche opzioni di personalizzazione perEpitassia del carburo di silicio, consentendo soluzioni su misura che soddisfano requisiti specifici del dispositivo. Sia per la ricerca che per la produzione su larga scala, i nostri strati epitassiali sono progettati per supportare la prossima generazione di innovazioni nei semiconduttori, consentendo lo sviluppo di dispositivi elettronici più potenti, efficienti e affidabili.
Integrando tecnologia all'avanguardia e rigorosi processi di controllo qualità, Semicera garantisce che il nsEpitassia del carburo di silicioi prodotti non solo soddisfano ma superano gli standard del settore. Questo impegno verso l'eccellenza rende i nostri strati epitassiali la base ideale per applicazioni avanzate di semiconduttori, aprendo la strada a scoperte rivoluzionarie nell'elettronica di potenza e nell'optoelettronica.
| Elementi | Produzione | Ricerca | Manichino |
| Parametri di cristallo | |||
| Politipo | 4H | ||
| Errore di orientamento della superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parametri Elettrici | |||
| Dopante | Azoto di tipo n | ||
| Resistività | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parametri meccanici | |||
| Diametro | 150,0±0,2 mm | ||
| Spessore | 350±25μm | ||
| Orientamento piatto primario | [1-100]±5° | ||
| Lunghezza piatta primaria | 47,5±1,5 mm | ||
| Appartamento secondario | Nessuno | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Ordito | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| Rugosità anteriore (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Struttura | |||
| Densità del microtubo | <1 pezzo/cm2 | <10 pezzi/cm2 | <15 pezzi/cm2 |
| Impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ciascuno/cm2 | ≤3000 ciascuno/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ciascuno/cm2 | ≤1000 ciascuno/cm2 | NA |
| Qualità frontale | |||
| Fronte | Si | ||
| Finitura superficiale | Si-face CMP | ||
| Particelle | ≤60 pezzi/wafer (dimensione≥0,3μm) | NA | |
| Graffi | ≤5 pezzi/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametro | Lunghezza cumulativa ≤2*Diametro | NA |
| Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione | Nessuno | NA | |
| Scheggiature/rientranze/fratture/piastre esagonali sui bordi | Nessuno | ||
| Aree di politipo | Nessuno | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
| Marcatura laser frontale | Nessuno | ||
| Indietro Qualità | |||
| Finitura posteriore | CMP faccia C | ||
| Graffi | ≤5ea/mm,Lunghezza cumulativa≤2*Diametro | NA | |
| Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi) | Nessuno | ||
| Rugosità della schiena | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Marcatura laser sul retro | 1 mm (dal bordo superiore) | ||
| Bordo | |||
| Bordo | Smussare | ||
| Confezione | |||
| Confezione | Epi-ready con confezionamento sottovuoto Confezione in cassetta multi-wafer | ||
| *Note: "NA" significa nessuna richiesta. Gli articoli non menzionati possono fare riferimento a SEMI-STD. | |||
