Suscettori in grafite con rivestimento in carburo di silicio per canna

Breve descrizione:

Semicera offre una gamma completa di suscettori e componenti in grafite progettati per vari reattori epitassia.

Attraverso partnership strategiche con OEM leader del settore, vasta esperienza nei materiali e capacità di produzione avanzate, Semicera offre progetti su misura per soddisfare i requisiti specifici della vostra applicazione. Il nostro impegno per l'eccellenza garantisce che riceviate soluzioni ottimali per le vostre esigenze di reattori epitassia.

 


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Descrizione

La nostra azienda fornisce servizi di processo di rivestimento SiC con metodo CVD sulla superficie di grafite, ceramica e altri materiali, in modo che gas speciali contenenti carbonio e silicio reagiscano ad alta temperatura per ottenere molecole SiC di elevata purezza, molecole depositate sulla superficie dei materiali rivestiti, formando lo strato protettivo SIC.

Induttori SiC1
Induttori SiC2

Caratteristiche principali

1. Grafite rivestita in SiC ad alta purezza

2. Resistenza al calore e uniformità termica superiori

3. Rivestimento in cristallo SiC fine per una superficie liscia

4. Elevata resistenza alla pulizia chimica

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina Fase β dell'FCC
Densità g/cm³ 3.21
Durezza Durezza Vickers 2500
Granulometria µm 2~10
Purezza chimica % 99.99995
Capacità termica J·kg-1 ·K-1 640
Temperatura di sublimazione 2700
Forza flessionale MPa (RT 4 punti) 415
Modulo di Young Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃) 430
Dilatazione Termica (CTE) 10-6K-1 4.5
Conduttività termica (W/mK) 300
foto 3
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immagine 4
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Luogo di lavoro Semicera
Luogo di lavoro Semicera 2
Macchina per attrezzature
Lavorazione CNN, pulizia chimica, rivestimento CVD
Il nostro servizio

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