Descrizione
ILSuscettori wafer in carburo di silicio (SiC).per MOCVD di semicera sono progettati per processi epitassiali avanzati, offrendo prestazioni superiori per entrambiSi EpitassiaEEpitassia SiCapplicazioni. L'approccio innovativo di Semicera garantisce che questi suscettori siano durevoli ed efficienti, fornendo stabilità e precisione per operazioni di produzione critiche.
Progettato per supportare le complesse esigenze diSuscettore MOCVDsistemi, questi prodotti sono versatili, compatibili con supporti come PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier e RTP Carrier. La loro flessibilità li rende adatti alle industrie ad alta tecnologia, comprese quelle che lavorano conLED epitassialeSuscettore e silicio monocristallino.
Con molteplici configurazioni, tra cui susceptor Barrel e susceptor Pancake, questi suscettori wafer sono essenziali anche nel settore fotovoltaico, supportando la produzione di parti fotovoltaiche. Per i produttori di semiconduttori, la capacità di gestire GaN su processi epitassia SiC rende questi suscettori estremamente preziosi per garantire risultati di alta qualità in un'ampia gamma di applicazioni.
Caratteristiche principali
1. Grafite rivestita in SiC ad alta purezza
2. Resistenza al calore e uniformità termica superiori
3. BeneRivestimento in cristallo SiCper una superficie liscia
4. Elevata resistenza alla pulizia chimica
Specifiche principali dei rivestimenti CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Densità | (g/cc) | 3.21 |
| Resistenza alla flessione | (MPa) | 470 |
| Dilatazione termica | (10-6/K) | 4 |
| Conduttività termica | (W/mK) | 300 |
Imballaggio e spedizione
Capacità di fornitura:
10000 pezzo/pezzi al mese
Imballaggio e consegna:
Imballaggio: imballaggio standard e robusto
Poli sacchetto + scatola + cartone + pallet
Porta:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Tempi di consegna:
| Quantità (pezzi) | 1-1000 | >1000 |
| Est. Tempo (giorni) | 30 | Da negoziare |
