L'epitassia LED blu/verde di semicera offre soluzioni all'avanguardia per la produzione di LED ad alte prestazioni. Progettata per supportare processi avanzati di crescita epitassiale, la tecnologia epitassia LED blu/verde di semicera migliora l'efficienza e la precisione nella produzione di LED blu e verdi, fondamentali per varie applicazioni optoelettroniche. Utilizzando l'epitassia Si e l'epitassia SiC all'avanguardia, questa soluzione garantisce qualità e durata eccellenti.
Nel processo di produzione, il suscettore MOCVD svolge un ruolo cruciale, insieme a componenti come PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier e RTP Carrier, che ottimizzano l'ambiente di crescita epitassiale. L'epitassia LED blu/verde di Semicera è progettata per fornire un supporto stabile per il suscettore epitassiale LED, il suscettore cilindrico e il silicio monocristallino, garantendo la produzione di risultati coerenti e di alta qualità.
Questo processo di epitassia è vitale per la creazione di parti fotovoltaiche e supporta applicazioni come GaN su SiC epitassia, migliorando l'efficienza complessiva dei semiconduttori. Sia in una configurazione Pancake Susceptor o utilizzate in altre configurazioni avanzate, le soluzioni epitassia LED blu/verde di semicera offrono prestazioni affidabili, aiutando i produttori a soddisfare la crescente domanda di componenti LED di alta qualità.
Caratteristiche principali:
1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura:
la resistenza all'ossidazione è ancora molto buona anche quando la temperatura arriva fino a 1600 C.
2. Elevata purezza: prodotto mediante deposizione di vapori chimici in condizioni di clorazione ad alta temperatura.
3. Resistenza all'erosione: elevata durezza, superficie compatta, particelle fini.
4. Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.
Specifiche principali diRivestimento CVD-SIC
| Proprietà SiC-CVD | ||
| Struttura cristallina | Fase β dell'FCC | |
| Densità | g/cm³ | 3.21 |
| Durezza | Durezza Vickers | 2500 |
| Granulometria | µm | 2~10 |
| Purezza chimica | % | 99.99995 |
| Capacità termica | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura di sublimazione | ℃ | 2700 |
| Forza flessionale | MPa (RT 4 punti) | 415 |
| Modulo di Young | Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃) | 430 |
| Dilatazione Termica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conduttività termica | (W/mK) | 300 |
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