Supporti di rivestimento SiC per l'attacco di semiconduttori

Supporti di rivestimento SiC per l'incisione di semiconduttori Immagine in evidenza

Breve descrizione:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. è un fornitore leader di ceramiche semiconduttrici avanzate.I nostri prodotti principali includono: dischi incisi in carburo di silicio, rimorchi per barche in carburo di silicio, navi wafer in carburo di silicio (PV e semiconduttori), tubi per forni in carburo di silicio, pale a sbalzo in carburo di silicio, mandrini in carburo di silicio, travi in carburo di silicio, nonché rivestimenti CVD SiC e Rivestimenti TaC.

I prodotti sono utilizzati principalmente nell'industria dei semiconduttori e nel fotovoltaico, come ad esempio nelle apparecchiature per la crescita dei cristalli, l'epitassia, l'incisione, l'imballaggio, il rivestimento e i forni a diffusione.

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Descrizione

La nostra azienda fornisce servizi di processo di rivestimento SiC con metodo CVD sulla superficie di grafite, ceramica e altri materiali, in modo che gas speciali contenenti carbonio e silicio reagiscano ad alta temperatura per ottenere molecole SiC di elevata purezza, molecole depositate sulla superficie dei materiali rivestiti, formando lo strato protettivo SIC.

Carrello con rivestimento SiC per RTPRTA (1)

Supporto rivestimento SiC per RTPRTA (5)

Caratteristiche principali

1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura:
la resistenza all'ossidazione è ancora molto buona anche quando la temperatura arriva fino a 1600 C.
2. Elevata purezza: prodotto mediante deposizione di vapori chimici in condizioni di clorazione ad alta temperatura.
3. Resistenza all'erosione: elevata durezza, superficie compatta, particelle fini.
4. Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sale e reagenti organici.

Specifiche principali del rivestimento CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD
Struttura di cristallo	Fase β dell'FCC
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Granulometria	µm	2~10
Purezza chimica	%	99.99995
Capacità termica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura di sublimazione	℃	2700
Forza flessionale	MPa (RT 4 punti)	415
Modulo di Young	Gpa (curvatura 4 punti, 1300 ℃)	430
Dilatazione Termica (CTE)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300